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东芝株式会社近日宣布与上海集成电路研发中心（SICC）达成战略合作协议。双方将共同致力于第三代半导体材料——碳化硅（SiC）功率芯片的研发与生产技术优化。这一合作标志着双方在新能源汽车、工业电源等领域的重要布局。
碳化硅功率芯片因其优异的高温、高频和高电压性能，近年来成为全球半导体行业重点发展方向。该技术能够显著提升电力电子系统的效率，减少能源损耗，在电动汽车、快充设备以及可再生能源系统中具有广泛的应用前景。
东芝作为国际知名半导体制造商，在碳化硅材料科学和器件制程方面拥有深厚的技术积累。而上海集成电路研发中心则在先进工艺研发和产业化方面具备独特优势。双方将结合各自的优势资源，共同推进相关技术的开发与市场化应用。
业内专家表示，此次合作不仅有助于提升我国半导体产业技术水平，也将为全球新能源产业链的发展注入新动力。随着碳化硅功率器件成本的降低和性能的进一步优化，其将在更多领域得到推广应用，推动实现"双碳"目标。
